发光二极管是由一组III-IV的化合物,如砷化镓
(砷化镓)、间隙(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓),其核心是其他半导体的PN结。因此,它具有一般PN结的特性,即正向导通,反向切割,击穿特性
此外,在一定条件下,
它还具有发光特性。在正向电压下,电子产生。
n区进入p区,p为空穴。
n区面积。少数载流子(少数)进入另一区域,与多数载波(多个子)重新组合以发射光。
作者:admin时间:2020-01-08 10:41:42 次浏览
发光二极管是由一组III-IV的化合物,如砷化镓 (砷化镓)、间隙(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓),其核心是其他半导体的PN结。因此,它具有一般PN结的特性,即正向导通,反向切割,击穿特性 此外,在一定条件下, 它还具有发光特性。在正向电压下,电子产生。 n区进入p区,p为空穴。 n区面积。少数载流子(少数)进入另一区域,与多数载波(多个子)重新组合以发射光。
发光二极管是由一组III-IV的化合物,如砷化镓
(砷化镓)、间隙(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓),其核心是其他半导体的PN结。因此,它具有一般PN结的特性,即正向导通,反向切割,击穿特性
此外,在一定条件下,
它还具有发光特性。在正向电压下,电子产生。
n区进入p区,p为空穴。
n区面积。少数载流子(少数)进入另一区域,与多数载波(多个子)重新组合以发射光。